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P17 - DYNAMIQUE DE MODULATION D'UN LASER SEMI-CONDUCTEURS À LEVIER DE GAIN OPÉRANT SOUS INJECTION OPTIQUE EXTERNE
1 : Télécom ParisTech
Télécom ParisTech
46 rue Barrault, 75634 Paris Cedex 13, France -
France
2 : Alcatel-Thales III-V lab
(III-V Lab)
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Site web
THALES, ALCATEL
Campus de Polytechnique, 1 avenue Augustin Fresnel, 91767 Palaiseau -
France
3 : Laboratoire Traitement et Communication de l'Information [Paris]
(LTCI)
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Site web
* : Auteur correspondant
Télécom ParisTech, CNRS : UMR5141
CNRS LTCI Télécom ParisTech 46 rue Barrault F-75634 Paris Cedex 13 -
France
Les propriétés dynamiques d'un laser à semi-conducteurs à levier de gain injecté optiquement sont théoriquement étudiées à travers une étude de la réponse fréquentielle (fonction de transfert). L'approche semi-analytique montre que la combinaison du levier de gain et du verrouillage optique constitue une excellente solution pour l'amélioration de la dynamique de modulation. En particulier, il est démontré que la dépression apparaissant dans la fonction de transfert sous forte injection optique et limitant la bande passante à -3 dB peut être contrecarrée par l'effet de levier de gain.
