Dans cet article nous présentons la caractérisation d'un premier guides d'onde, composé de couches d'AlN et de GaN épitaxiées sur substrat de Si. Le mode fondamental à 633 nm présente 5dB/cm de pertes à la propagation ce qui est déjà un bon résultat pour des guides en semiconducteur à cette longueur d'onde. Ces pertes augmentent avec l'ordre du mode. Une modélisation soigneuse de la structure complète permet de comprendre qu'elles sont en grande partie dues au substrat de Si, et quelles pourraient être fortement réduite en réalisant le guide sur un substrat de SOI judicieusement choisi.